APT29F100B2
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Artikelnummer
APT29F100B2
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
1040W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48888 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT29F100B2
APT29F100B2 Elektroniska komponenter
APT29F100B2 Försäljning
APT29F100B2 Leverantör
APT29F100B2 Distributör
APT29F100B2 Datatabell
APT29F100B2 Foton
APT29F100B2 Pris
APT29F100B2 Erbjudande
APT29F100B2 Lägsta pris
APT29F100B2 Sök
APT29F100B2 Köp av
APT29F100B2 Chip