APT30F50B
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
Artikelnummer
APT30F50B
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247 [B]
Effektförlust (max)
415W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4525pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45911 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av APT30F50B
APT30F50B Elektroniska komponenter
APT30F50B Försäljning
APT30F50B Leverantör
APT30F50B Distributör
APT30F50B Datatabell
APT30F50B Foton
APT30F50B Pris
APT30F50B Erbjudande
APT30F50B Lägsta pris
APT30F50B Sök
APT30F50B Köp av
APT30F50B Chip