Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
APT38F80B2

APT38F80B2

MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Artikelnummer
APT38F80B2
Tillverkare/varumärke
Serier
POWER MOS 8™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3 Variant
Leverantörsenhetspaket
T-MAX™ [B2]
Effektförlust (max)
1040W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8070pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17363 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av APT38F80B2
APT38F80B2 Elektroniska komponenter
APT38F80B2 Försäljning
APT38F80B2 Leverantör
APT38F80B2 Distributör
APT38F80B2 Datatabell
APT38F80B2 Foton
APT38F80B2 Pris
APT38F80B2 Erbjudande
APT38F80B2 Lägsta pris
APT38F80B2 Sök
APT38F80B2 Köp av
APT38F80B2 Chip