FDS4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
Artikelnummer
FDS4435BZ
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1845pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22517 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDS4435BZ
FDS4435BZ Elektroniska komponenter
FDS4435BZ Försäljning
FDS4435BZ Leverantör
FDS4435BZ Distributör
FDS4435BZ Datatabell
FDS4435BZ Foton
FDS4435BZ Pris
FDS4435BZ Erbjudande
FDS4435BZ Lägsta pris
FDS4435BZ Sök
FDS4435BZ Köp av
FDS4435BZ Chip