FDS6162N3
MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC
Artikelnummer
FDS6162N3
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
3W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5521pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17905 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDS6162N3
FDS6162N3 Elektroniska komponenter
FDS6162N3 Försäljning
FDS6162N3 Leverantör
FDS6162N3 Distributör
FDS6162N3 Datatabell
FDS6162N3 Foton
FDS6162N3 Pris
FDS6162N3 Erbjudande
FDS6162N3 Lägsta pris
FDS6162N3 Sök
FDS6162N3 Köp av
FDS6162N3 Chip