FDS6162N7
MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
Artikelnummer
FDS6162N7
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
3W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5521pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42496 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDS6162N7
FDS6162N7 Elektroniska komponenter
FDS6162N7 Försäljning
FDS6162N7 Leverantör
FDS6162N7 Distributör
FDS6162N7 Datatabell
FDS6162N7 Foton
FDS6162N7 Pris
FDS6162N7 Erbjudande
FDS6162N7 Lägsta pris
FDS6162N7 Sök
FDS6162N7 Köp av
FDS6162N7 Chip