FDU8882
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Artikelnummer
FDU8882
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerTrench®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251
Effektförlust (max)
55W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.6A (Ta), 55A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1260pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39706 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FDU8882
FDU8882 Elektroniska komponenter
FDU8882 Försäljning
FDU8882 Leverantör
FDU8882 Distributör
FDU8882 Datatabell
FDU8882 Foton
FDU8882 Pris
FDU8882 Erbjudande
FDU8882 Lägsta pris
FDU8882 Sök
FDU8882 Köp av
FDU8882 Chip