FQB11N40TM
MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Artikelnummer
FQB11N40TM
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
400V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46342 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB11N40TM
FQB11N40TM Elektroniska komponenter
FQB11N40TM Försäljning
FQB11N40TM Leverantör
FQB11N40TM Distributör
FQB11N40TM Datatabell
FQB11N40TM Foton
FQB11N40TM Pris
FQB11N40TM Erbjudande
FQB11N40TM Lägsta pris
FQB11N40TM Sök
FQB11N40TM Köp av
FQB11N40TM Chip