FQB13N10LTM
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Artikelnummer
FQB13N10LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20572 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB13N10LTM
FQB13N10LTM Elektroniska komponenter
FQB13N10LTM Försäljning
FQB13N10LTM Leverantör
FQB13N10LTM Distributör
FQB13N10LTM Datatabell
FQB13N10LTM Foton
FQB13N10LTM Pris
FQB13N10LTM Erbjudande
FQB13N10LTM Lägsta pris
FQB13N10LTM Sök
FQB13N10LTM Köp av
FQB13N10LTM Chip