FQB13N50CTM
MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
Artikelnummer
FQB13N50CTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
195W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2055pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37237 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB13N50CTM
FQB13N50CTM Elektroniska komponenter
FQB13N50CTM Försäljning
FQB13N50CTM Leverantör
FQB13N50CTM Distributör
FQB13N50CTM Datatabell
FQB13N50CTM Foton
FQB13N50CTM Pris
FQB13N50CTM Erbjudande
FQB13N50CTM Lägsta pris
FQB13N50CTM Sök
FQB13N50CTM Köp av
FQB13N50CTM Chip