FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Artikelnummer
FQB19N10LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 75W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26846 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB19N10LTM
FQB19N10LTM Elektroniska komponenter
FQB19N10LTM Försäljning
FQB19N10LTM Leverantör
FQB19N10LTM Distributör
FQB19N10LTM Datatabell
FQB19N10LTM Foton
FQB19N10LTM Pris
FQB19N10LTM Erbjudande
FQB19N10LTM Lägsta pris
FQB19N10LTM Sök
FQB19N10LTM Köp av
FQB19N10LTM Chip