FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Artikelnummer
FQB19N20LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20397 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB19N20LTM
FQB19N20LTM Elektroniska komponenter
FQB19N20LTM Försäljning
FQB19N20LTM Leverantör
FQB19N20LTM Distributör
FQB19N20LTM Datatabell
FQB19N20LTM Foton
FQB19N20LTM Pris
FQB19N20LTM Erbjudande
FQB19N20LTM Lägsta pris
FQB19N20LTM Sök
FQB19N20LTM Köp av
FQB19N20LTM Chip