FQD12N20LTM
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Artikelnummer
FQD12N20LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1080pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54005 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQD12N20LTM
FQD12N20LTM Elektroniska komponenter
FQD12N20LTM Försäljning
FQD12N20LTM Leverantör
FQD12N20LTM Distributör
FQD12N20LTM Datatabell
FQD12N20LTM Foton
FQD12N20LTM Pris
FQD12N20LTM Erbjudande
FQD12N20LTM Lägsta pris
FQD12N20LTM Sök
FQD12N20LTM Köp av
FQD12N20LTM Chip