Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF75329G3

HUF75329G3

MOSFET N-CH 55V 49A TO-247
Artikelnummer
HUF75329G3
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247
Effektförlust (max)
128W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 49A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16361 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF75329G3
HUF75329G3 Elektroniska komponenter
HUF75329G3 Försäljning
HUF75329G3 Leverantör
HUF75329G3 Distributör
HUF75329G3 Datatabell
HUF75329G3 Foton
HUF75329G3 Pris
HUF75329G3 Erbjudande
HUF75329G3 Lägsta pris
HUF75329G3 Sök
HUF75329G3 Köp av
HUF75329G3 Chip