Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
HUF75637S3ST

HUF75637S3ST

MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Artikelnummer
HUF75637S3ST
Tillverkare/varumärke
Serier
UltraFET™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
155W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
108nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38621 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av HUF75637S3ST
HUF75637S3ST Elektroniska komponenter
HUF75637S3ST Försäljning
HUF75637S3ST Leverantör
HUF75637S3ST Distributör
HUF75637S3ST Datatabell
HUF75637S3ST Foton
HUF75637S3ST Pris
HUF75637S3ST Erbjudande
HUF75637S3ST Lägsta pris
HUF75637S3ST Sök
HUF75637S3ST Köp av
HUF75637S3ST Chip