RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Artikelnummer
RQ3E180AJTB
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
8-HSMT (3.2x3)
Effektförlust (max)
2W (Ta), 30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 11mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7962 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av RQ3E180AJTB
RQ3E180AJTB Elektroniska komponenter
RQ3E180AJTB Försäljning
RQ3E180AJTB Leverantör
RQ3E180AJTB Distributör
RQ3E180AJTB Datatabell
RQ3E180AJTB Foton
RQ3E180AJTB Pris
RQ3E180AJTB Erbjudande
RQ3E180AJTB Lägsta pris
RQ3E180AJTB Sök
RQ3E180AJTB Köp av
RQ3E180AJTB Chip