IRF830
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220
Artikelnummer
IRF830
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerMESH™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
100W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
610pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25677 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF830
IRF830 Elektroniska komponenter
IRF830 Försäljning
IRF830 Leverantör
IRF830 Distributör
IRF830 Datatabell
IRF830 Foton
IRF830 Pris
IRF830 Erbjudande
IRF830 Lägsta pris
IRF830 Sök
IRF830 Köp av
IRF830 Chip