STB18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Artikelnummer
STB18NM80
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2070pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50771 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STB18NM80
STB18NM80 Elektroniska komponenter
STB18NM80 Försäljning
STB18NM80 Leverantör
STB18NM80 Distributör
STB18NM80 Datatabell
STB18NM80 Foton
STB18NM80 Pris
STB18NM80 Erbjudande
STB18NM80 Lägsta pris
STB18NM80 Sök
STB18NM80 Köp av
STB18NM80 Chip