STB33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Artikelnummer
STB33N65M2
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ M2
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53607 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STB33N65M2
STB33N65M2 Elektroniska komponenter
STB33N65M2 Försäljning
STB33N65M2 Leverantör
STB33N65M2 Distributör
STB33N65M2 Datatabell
STB33N65M2 Foton
STB33N65M2 Pris
STB33N65M2 Erbjudande
STB33N65M2 Lägsta pris
STB33N65M2 Sök
STB33N65M2 Köp av
STB33N65M2 Chip