STD1HN60K3
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
Artikelnummer
STD1HN60K3
Tillverkare/varumärke
Serier
SuperMESH3™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
DPAK
Effektförlust (max)
27W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46533 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STD1HN60K3
STD1HN60K3 Elektroniska komponenter
STD1HN60K3 Försäljning
STD1HN60K3 Leverantör
STD1HN60K3 Distributör
STD1HN60K3 Datatabell
STD1HN60K3 Foton
STD1HN60K3 Pris
STD1HN60K3 Erbjudande
STD1HN60K3 Lägsta pris
STD1HN60K3 Sök
STD1HN60K3 Köp av
STD1HN60K3 Chip