STD1HNC60T4
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Artikelnummer
STD1HNC60T4
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerMESH™ II
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
228pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19088 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STD1HNC60T4
STD1HNC60T4 Elektroniska komponenter
STD1HNC60T4 Försäljning
STD1HNC60T4 Leverantör
STD1HNC60T4 Distributör
STD1HNC60T4 Datatabell
STD1HNC60T4 Foton
STD1HNC60T4 Pris
STD1HNC60T4 Erbjudande
STD1HNC60T4 Lägsta pris
STD1HNC60T4 Sök
STD1HNC60T4 Köp av
STD1HNC60T4 Chip