STP19NB20
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
Artikelnummer
STP19NB20
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerMESH™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9980 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STP19NB20
STP19NB20 Elektroniska komponenter
STP19NB20 Försäljning
STP19NB20 Leverantör
STP19NB20 Distributör
STP19NB20 Datatabell
STP19NB20 Foton
STP19NB20 Pris
STP19NB20 Erbjudande
STP19NB20 Lägsta pris
STP19NB20 Sök
STP19NB20 Köp av
STP19NB20 Chip