STP24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
Artikelnummer
STP24NM65N
Tillverkare/varumärke
Serier
MDmesh™ II
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
160W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46155 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STP24NM65N
STP24NM65N Elektroniska komponenter
STP24NM65N Försäljning
STP24NM65N Leverantör
STP24NM65N Distributör
STP24NM65N Datatabell
STP24NM65N Foton
STP24NM65N Pris
STP24NM65N Erbjudande
STP24NM65N Lägsta pris
STP24NM65N Sök
STP24NM65N Köp av
STP24NM65N Chip