STW8NB100
MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
Artikelnummer
STW8NB100
Tillverkare/varumärke
Serier
PowerMESH™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
190W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.45 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37982 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av STW8NB100
STW8NB100 Elektroniska komponenter
STW8NB100 Försäljning
STW8NB100 Leverantör
STW8NB100 Distributör
STW8NB100 Datatabell
STW8NB100 Foton
STW8NB100 Pris
STW8NB100 Erbjudande
STW8NB100 Lägsta pris
STW8NB100 Sök
STW8NB100 Köp av
STW8NB100 Chip