TSM3N100CP ROG
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
Artikelnummer
TSM3N100CP ROG
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252, (D-Pak)
Effektförlust (max)
99W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
664pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10435 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TSM3N100CP ROG
TSM3N100CP ROG Elektroniska komponenter
TSM3N100CP ROG Försäljning
TSM3N100CP ROG Leverantör
TSM3N100CP ROG Distributör
TSM3N100CP ROG Datatabell
TSM3N100CP ROG Foton
TSM3N100CP ROG Pris
TSM3N100CP ROG Erbjudande
TSM3N100CP ROG Lägsta pris
TSM3N100CP ROG Sök
TSM3N100CP ROG Köp av
TSM3N100CP ROG Chip