CSD19532KTTT
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
Artikelnummer
CSD19532KTTT
Tillverkare/varumärke
Serier
NexFET™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
DDPAK/TO-263-3
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
200A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5060pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18037 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av CSD19532KTTT
CSD19532KTTT Elektroniska komponenter
CSD19532KTTT Försäljning
CSD19532KTTT Leverantör
CSD19532KTTT Distributör
CSD19532KTTT Datatabell
CSD19532KTTT Foton
CSD19532KTTT Pris
CSD19532KTTT Erbjudande
CSD19532KTTT Lägsta pris
CSD19532KTTT Sök
CSD19532KTTT Köp av
CSD19532KTTT Chip