TPS1101DG4
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Artikelnummer
TPS1101DG4
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SOIC
Effektförlust (max)
791mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
15V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 10V
Vgs (max)
+2V, -15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39134 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TPS1101DG4
TPS1101DG4 Elektroniska komponenter
TPS1101DG4 Försäljning
TPS1101DG4 Leverantör
TPS1101DG4 Distributör
TPS1101DG4 Datatabell
TPS1101DG4 Foton
TPS1101DG4 Pris
TPS1101DG4 Erbjudande
TPS1101DG4 Lägsta pris
TPS1101DG4 Sök
TPS1101DG4 Köp av
TPS1101DG4 Chip