TK56A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
Artikelnummer
TK56A12N1,S4X
Tillverkare/varumärke
Serier
U-MOSVIII-H
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220SIS
Effektförlust (max)
45W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 60V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5573 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av TK56A12N1,S4X
TK56A12N1,S4X Elektroniska komponenter
TK56A12N1,S4X Försäljning
TK56A12N1,S4X Leverantör
TK56A12N1,S4X Distributör
TK56A12N1,S4X Datatabell
TK56A12N1,S4X Foton
TK56A12N1,S4X Pris
TK56A12N1,S4X Erbjudande
TK56A12N1,S4X Lägsta pris
TK56A12N1,S4X Sök
TK56A12N1,S4X Köp av
TK56A12N1,S4X Chip