IRF520PBF
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
Artikelnummer
IRF520PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30469 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF520PBF
IRF520PBF Elektroniska komponenter
IRF520PBF Försäljning
IRF520PBF Leverantör
IRF520PBF Distributör
IRF520PBF Datatabell
IRF520PBF Foton
IRF520PBF Pris
IRF520PBF Erbjudande
IRF520PBF Lägsta pris
IRF520PBF Sök
IRF520PBF Köp av
IRF520PBF Chip