IRF620PBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
Artikelnummer
IRF620PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
260pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33309 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF620PBF
IRF620PBF Elektroniska komponenter
IRF620PBF Försäljning
IRF620PBF Leverantör
IRF620PBF Distributör
IRF620PBF Datatabell
IRF620PBF Foton
IRF620PBF Pris
IRF620PBF Erbjudande
IRF620PBF Lägsta pris
IRF620PBF Sök
IRF620PBF Köp av
IRF620PBF Chip