IRF710PBF
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
Artikelnummer
IRF710PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
400V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50984 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF710PBF
IRF710PBF Elektroniska komponenter
IRF710PBF Försäljning
IRF710PBF Leverantör
IRF710PBF Distributör
IRF710PBF Datatabell
IRF710PBF Foton
IRF710PBF Pris
IRF710PBF Erbjudande
IRF710PBF Lägsta pris
IRF710PBF Sök
IRF710PBF Köp av
IRF710PBF Chip