IRFBC30PBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
Artikelnummer
IRFBC30PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
74W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32259 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFBC30PBF
IRFBC30PBF Elektroniska komponenter
IRFBC30PBF Försäljning
IRFBC30PBF Leverantör
IRFBC30PBF Distributör
IRFBC30PBF Datatabell
IRFBC30PBF Foton
IRFBC30PBF Pris
IRFBC30PBF Erbjudande
IRFBC30PBF Lägsta pris
IRFBC30PBF Sök
IRFBC30PBF Köp av
IRFBC30PBF Chip