IRFD9110PBF
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
Artikelnummer
IRFD9110PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverantörsenhetspaket
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
700mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 420mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6352 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFD9110PBF
IRFD9110PBF Elektroniska komponenter
IRFD9110PBF Försäljning
IRFD9110PBF Leverantör
IRFD9110PBF Distributör
IRFD9110PBF Datatabell
IRFD9110PBF Foton
IRFD9110PBF Pris
IRFD9110PBF Erbjudande
IRFD9110PBF Lägsta pris
IRFD9110PBF Sök
IRFD9110PBF Köp av
IRFD9110PBF Chip