IRFIB5N65APBF
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
Artikelnummer
IRFIB5N65APBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
930 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1417pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43932 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIB5N65APBF
IRFIB5N65APBF Elektroniska komponenter
IRFIB5N65APBF Försäljning
IRFIB5N65APBF Leverantör
IRFIB5N65APBF Distributör
IRFIB5N65APBF Datatabell
IRFIB5N65APBF Foton
IRFIB5N65APBF Pris
IRFIB5N65APBF Erbjudande
IRFIB5N65APBF Lägsta pris
IRFIB5N65APBF Sök
IRFIB5N65APBF Köp av
IRFIB5N65APBF Chip