IRFIBF30GPBF
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Artikelnummer
IRFIBF30GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33281 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF Elektroniska komponenter
IRFIBF30GPBF Försäljning
IRFIBF30GPBF Leverantör
IRFIBF30GPBF Distributör
IRFIBF30GPBF Datatabell
IRFIBF30GPBF Foton
IRFIBF30GPBF Pris
IRFIBF30GPBF Erbjudande
IRFIBF30GPBF Lägsta pris
IRFIBF30GPBF Sök
IRFIBF30GPBF Köp av
IRFIBF30GPBF Chip