IRFPE30PBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
Artikelnummer
IRFPE30PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247-3
Effektförlust (max)
125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9227 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFPE30PBF
IRFPE30PBF Elektroniska komponenter
IRFPE30PBF Försäljning
IRFPE30PBF Leverantör
IRFPE30PBF Distributör
IRFPE30PBF Datatabell
IRFPE30PBF Foton
IRFPE30PBF Pris
IRFPE30PBF Erbjudande
IRFPE30PBF Lägsta pris
IRFPE30PBF Sök
IRFPE30PBF Köp av
IRFPE30PBF Chip