IRFRC20PBF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Artikelnummer
IRFRC20PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9141 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFRC20PBF
IRFRC20PBF Elektroniska komponenter
IRFRC20PBF Försäljning
IRFRC20PBF Leverantör
IRFRC20PBF Distributör
IRFRC20PBF Datatabell
IRFRC20PBF Foton
IRFRC20PBF Pris
IRFRC20PBF Erbjudande
IRFRC20PBF Lägsta pris
IRFRC20PBF Sök
IRFRC20PBF Köp av
IRFRC20PBF Chip