IRFZ40PBF
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Artikelnummer
IRFZ40PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1900pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40589 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRFZ40PBF
IRFZ40PBF Elektroniska komponenter
IRFZ40PBF Försäljning
IRFZ40PBF Leverantör
IRFZ40PBF Distributör
IRFZ40PBF Datatabell
IRFZ40PBF Foton
IRFZ40PBF Pris
IRFZ40PBF Erbjudande
IRFZ40PBF Lägsta pris
IRFZ40PBF Sök
IRFZ40PBF Köp av
IRFZ40PBF Chip