IRLI640GPBF
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Artikelnummer
IRLI640GPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23245 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLI640GPBF
IRLI640GPBF Elektroniska komponenter
IRLI640GPBF Försäljning
IRLI640GPBF Leverantör
IRLI640GPBF Distributör
IRLI640GPBF Datatabell
IRLI640GPBF Foton
IRLI640GPBF Pris
IRLI640GPBF Erbjudande
IRLI640GPBF Lägsta pris
IRLI640GPBF Sök
IRLI640GPBF Köp av
IRLI640GPBF Chip