SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
Artikelnummer
SI1012CR-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-75, SOT-416
Leverantörsenhetspaket
SC-75A
Effektförlust (max)
240mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
396 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8911 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1012CR-T1-GE3
SI1012CR-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1012CR-T1-GE3 Försäljning
SI1012CR-T1-GE3 Leverantör
SI1012CR-T1-GE3 Distributör
SI1012CR-T1-GE3 Datatabell
SI1012CR-T1-GE3 Foton
SI1012CR-T1-GE3 Pris
SI1012CR-T1-GE3 Erbjudande
SI1012CR-T1-GE3 Lägsta pris
SI1012CR-T1-GE3 Sök
SI1012CR-T1-GE3 Köp av
SI1012CR-T1-GE3 Chip