Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIE878DF-T1-GE3

SIE878DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK
Artikelnummer
SIE878DF-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
10-PolarPAK® (L)
Leverantörsenhetspaket
10-PolarPAK® (L)
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 12.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50218 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIE878DF-T1-GE3
SIE878DF-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIE878DF-T1-GE3 Försäljning
SIE878DF-T1-GE3 Leverantör
SIE878DF-T1-GE3 Distributör
SIE878DF-T1-GE3 Datatabell
SIE878DF-T1-GE3 Foton
SIE878DF-T1-GE3 Pris
SIE878DF-T1-GE3 Erbjudande
SIE878DF-T1-GE3 Lägsta pris
SIE878DF-T1-GE3 Sök
SIE878DF-T1-GE3 Köp av
SIE878DF-T1-GE3 Chip