köpa Vishay Siliconix SISS10DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SISS10DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Artikelnummer

SISS10DN-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET®

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

8-PowerVDFN

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Effektförlust (max)

57W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

40V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 20V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Vgs (max)

+20V, -16V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 14495 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3