SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CHAN 12V SOT23
Artikelnummer
SQ2315ES-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
2W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54434 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQ2315ES-T1_GE3
SQ2315ES-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQ2315ES-T1_GE3 Försäljning
SQ2315ES-T1_GE3 Leverantör
SQ2315ES-T1_GE3 Distributör
SQ2315ES-T1_GE3 Datatabell
SQ2315ES-T1_GE3 Foton
SQ2315ES-T1_GE3 Pris
SQ2315ES-T1_GE3 Erbjudande
SQ2315ES-T1_GE3 Lägsta pris
SQ2315ES-T1_GE3 Sök
SQ2315ES-T1_GE3 Köp av
SQ2315ES-T1_GE3 Chip