SQ2360EES-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Artikelnummer
SQ2360EES-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 6945 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQ2360EES-T1-GE3
SQ2360EES-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SQ2360EES-T1-GE3 Försäljning
SQ2360EES-T1-GE3 Leverantör
SQ2360EES-T1-GE3 Distributör
SQ2360EES-T1-GE3 Datatabell
SQ2360EES-T1-GE3 Foton
SQ2360EES-T1-GE3 Pris
SQ2360EES-T1-GE3 Erbjudande
SQ2360EES-T1-GE3 Lägsta pris
SQ2360EES-T1-GE3 Sök
SQ2360EES-T1-GE3 Köp av
SQ2360EES-T1-GE3 Chip