Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
AGM302C1
N-channel 30V 115A 2.2mΩ
Artikelnummer
AGM302C1
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
AGM-Semi (core control source)
Inkapsling
TO-220C
Förpackning
Tube
Antal paket
50
Beskrivning
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 115A Power (Pd): 80W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 100nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.85nF@15V ,Vds=30V Id=115A Rds=2.2mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.