köpa HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics) BSN20BKR-HXY N-channel 60V 0.3A

Kina
Professionell elektronisk komponentleverantör

Kataloger Tillverkare CN ICs

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

BSN20BKR-HXY

N-channel 60V 0.3A

Artikelnummer

BSN20BKR-HXY

Kategori

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Tillverkare/varumärke

HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)

Inkapsling

SOT-23

Förpackning

taping

Antal paket

3000

Beskrivning

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 300mA Power (Pd): 350mW On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2Ω@ 10V,0.3A

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 92735 PCS

Kontaktinformation