VBsemi (Wei Bi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDC6301N-VB
FDC6301N-VB
Artikelnummer
FDC6301N-VB
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
VBsemi (Wei Bi)
Inkapsling
SOT23-6
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
N-channel, 20V, 4.8A, RDS(ON), 22mΩ@4.5V, 28mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); 1.2~2.2Vth(V); SOT23-6
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 79767 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
P-Channel 20V 5.5A P-Channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -5.5A, 33mΩ
onsemi (Ansemi)
P-channel 12V 6A P-channel, PowerTrench MOSFET, 1.8V specified, -12V, -6A, 26mΩ
onsemi (Ansemi)
2x N-Channel 20V 2.7A Dual N-Channel, PowerTrench MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 2.7A, 80mΩ
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av FDC6301N-VB
FDC6301N-VB Elektroniska komponenter
FDC6301N-VB Försäljning
FDC6301N-VB Leverantör
FDC6301N-VB Distributör
FDC6301N-VB Datatabell
FDC6301N-VB Foton
FDC6301N-VB Pris
FDC6301N-VB Erbjudande
FDC6301N-VB Lägsta pris
FDC6301N-VB Sök
FDC6301N-VB Köp av
FDC6301N-VB Chip