VBsemi (Wei Bi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
FDD10AN06A0-VB
FDD10AN06A0-VB
Artikelnummer
FDD10AN06A0-VB
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Tillverkare/varumärke
VBsemi (Wei Bi)
Inkapsling
TO252
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
N-channel, 60V, 60A, RDS(ON), 9mΩ@10V, 11mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.87Vth(V); TO252
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 94416 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
N-Channel 60V 9.9A 50A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 60V, 50A, 13.5mΩ
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av FDD10AN06A0-VB
FDD10AN06A0-VB Elektroniska komponenter
FDD10AN06A0-VB Försäljning
FDD10AN06A0-VB Leverantör
FDD10AN06A0-VB Distributör
FDD10AN06A0-VB Datatabell
FDD10AN06A0-VB Foton
FDD10AN06A0-VB Pris
FDD10AN06A0-VB Erbjudande
FDD10AN06A0-VB Lägsta pris
FDD10AN06A0-VB Sök
FDD10AN06A0-VB Köp av
FDD10AN06A0-VB Chip