onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN IGBT, super cut-off -1200V 60A
Artikelnummer
FGY60T120SQDN
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
TO-247-3
Förpackning
Tube
Antal paket
30
Beskrivning
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective Super Field Stop (FS) Trench structure that provides excellent performance for demanding switching applications, provides low on-state voltage, and minimizes switching losses . This IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast combined encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 77948 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FGY60T120SQDN
FGY60T120SQDN Elektroniska komponenter
FGY60T120SQDN Försäljning
FGY60T120SQDN Leverantör
FGY60T120SQDN Distributör
FGY60T120SQDN Datatabell
FGY60T120SQDN Foton
FGY60T120SQDN Pris
FGY60T120SQDN Erbjudande
FGY60T120SQDN Lägsta pris
FGY60T120SQDN Sök
FGY60T120SQDN Köp av
FGY60T120SQDN Chip