onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
FGY75T120SQDN
Field Stop 790W 1.2kV 150A IGBT, Super Field Stop -1200V 75A
Artikelnummer
FGY75T120SQDN
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
TO-247-3
Förpackning
Tube
Antal paket
30
Beskrivning
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) utilizes a durable and cost-effective Super Field Stop Trench structure to provide excellent performance in demanding switching applications, along with low on-state voltage and lowest switching losses. The IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast co-encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 98159 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FGY75T120SQDN
FGY75T120SQDN Elektroniska komponenter
FGY75T120SQDN Försäljning
FGY75T120SQDN Leverantör
FGY75T120SQDN Distributör
FGY75T120SQDN Datatabell
FGY75T120SQDN Foton
FGY75T120SQDN Pris
FGY75T120SQDN Erbjudande
FGY75T120SQDN Lägsta pris
FGY75T120SQDN Sök
FGY75T120SQDN Köp av
FGY75T120SQDN Chip